[实用新型]一种轨到轨全差分放大器有效
申请号: | 201620307197.8 | 申请日: | 2016-04-13 |
公开(公告)号: | CN205545162U | 公开(公告)日: | 2016-08-31 |
发明(设计)人: | 陈腾;陈祝;付云龙 | 申请(专利权)人: | 成都信息工程大学 |
主分类号: | H03F1/30 | 分类号: | H03F1/30;H03F3/45;H03G3/30 |
代理公司: | 成都信博专利代理有限责任公司 51200 | 代理人: | 崔建中 |
地址: | 610225 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型提供一种轨到轨全差分放大器,属于低频集成电路技术领域。该电路包括:差分输入和差分输出电路、自偏置电路、尾电流源电路。其特点是:轨到轨差分放大器能够在低电压工作,实现轨到轨的差分输入同时能有效减少工艺、电源电压、温度变化给电路带来的影响,采用自偏置电路消除对偏置电压的需求,很好的抑制共模信号实现高的电压增益。 | ||
搜索关键词: | 一种 轨到轨全 差分放大器 | ||
【主权项】:
一种轨到轨全差分放大器,其特征在于,包括差分输入和差分输出电路,所述差分输入和差分输出电路包括构成差分输入对的PMOS管P1和PMOS管P12,以及构成另一差分输入对的NMOS管N1和NMOS管N12;PMOS管P1和NMOS管N1的栅极同时连接正端输入信号,PMOS管P12和NMOS管N12的栅极同时连接负端输入信号;还包括电容C1,以及栅极同时连接到电容C1下极板的PMOS管P2、PMOS管P4、NMOS管N2和NMOS管N4,PMOS管P2源级接电源,PMOS管P2的漏极和PMOS管P4的源极同时连接到NMOS管N1的漏极,PMOS管P4和NMOS管N2的漏极同时连接到电容C1的上极板,NMOS管N2的源极和NMOS管N4的漏极同时连接到PMOS管P1的漏极,NMOS管N4的源极接地;还包括电容C2以及栅极同时连接到电容C2下极板的PMOS管P7、PMOS管P9、NMOS管N7和NMOS管N9,PMOS管P7的源级接电源,PMOS管P7的漏极和PMOS管P9的源极同时连接到NMOS管N12的漏极,PMOS管P9和NMOS管N7的漏极同时连接到电容C2的上极板,NMOS管N7的源极和NMOS管N9的漏极同时连接到PMOS管P12的漏极,NMOS管N9的源极接地;电容C1和电容C2的下极板相连接,NMOS管N2和NMOS管N7的漏极作为差分输出。
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