[实用新型]一种N型太阳能电池和组件及其系统有效
申请号: | 201620311978.4 | 申请日: | 2016-04-14 |
公开(公告)号: | CN205542837U | 公开(公告)日: | 2016-08-31 |
发明(设计)人: | 林建伟;刘志锋;孙玉海;季根华;张育政 | 申请(专利权)人: | 泰州中来光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/0352 |
代理公司: | 北京金之桥知识产权代理有限公司 11137 | 代理人: | 林建军;刘卓夫 |
地址: | 225500 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种N型太阳能电池和组件及其系统。本实用新型的一种N型太阳能电池,包括N型晶体硅基体,N型晶体硅基体的正表面包括依次从内到外的p+掺杂区域和正表面钝化减反膜;N型晶体硅基体的背表面包括背面电极,N型晶体硅基体的正表面包括穿透钝化减反膜的槽状结构、正面副栅和正面主栅,正面副栅填充在槽状结构内并与所述p+掺杂区域形成欧姆接触。其有益效果是:在N型太阳能电池正表面的正面电极结构中,主栅线使用银浆,这样可以很好地满足焊接要求;通过槽状结构的设置,正面副栅可以使用铝浆,这样既能和p+掺杂表面形成优异的欧姆接触,又能极大地降低浆料带来的生产成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 组件 及其 系统 | ||
【主权项】:
一种N型太阳能电池,包括N型晶体硅基体,所述N型晶体硅基体的正表面包括依次从内到外的p+掺杂区域和正表面钝化减反膜;所述N型晶体硅基体的背表面包括依次从内到外的n+掺杂区域和背表面钝化膜;其特征在于:所述N型晶体硅基体的背表面包括背面电极,所述N型晶体硅基体的正表面包括穿透所述钝化减反膜的槽状结构、正面副栅和正面主栅,所述正面副栅填充在所述槽状结构内并与所述p+掺杂区域形成欧姆接触;所述正面主栅的长与宽的比值小于或者等于600∶1。
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H01 基本电气元件
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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