[实用新型]一种背结N型晶体硅太阳能电池和组件及其系统有效
申请号: | 201620312960.6 | 申请日: | 2016-04-14 |
公开(公告)号: | CN205542810U | 公开(公告)日: | 2016-08-31 |
发明(设计)人: | 林建伟;孙玉海;刘志锋;季根华;张育政 | 申请(专利权)人: | 泰州中来光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 北京金之桥知识产权代理有限公司 11137 | 代理人: | 林建军;刘卓夫 |
地址: | 225500 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种背结N型晶体硅太阳能电池和组件及其系统。本实用新型的一种背结N型晶体硅太阳能电池,包括N型晶体硅基体,N型晶体硅基体的背表面设置有背面银主栅电极、背面铝电极和穿透钝化膜的槽状结构,背面电极填充在槽状结构内并与p+掺杂区域形成欧姆接触;N型晶体硅基体的正表面包括正面电极,正面电极包括与n+掺杂区域欧姆接触的金属丝。其有益效果是:本实用新型得到的电池结构可提高电池的开路电压,同时还能够极大的减少电池的银浆消耗,从而降低电池片的制作成本。通过设置金属丝来形成副栅,在保证金属丝副栅电阻不增加的情况下,极大的减少电池的银浆消耗,从而降低电池片的制作成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 晶体 太阳能电池 组件 及其 系统 | ||
【主权项】:
一种背结N型晶体硅太阳能电池,包括N型晶体硅基体,所述N型晶体硅基体的正表面包括依次从内到外的n+掺杂区域和正表面钝化减反膜;所述N型晶体硅基体的背表面包括依次从内到外的p+掺杂区域和背表面钝化膜;其特征在于:所述N型晶体硅基体的背表面设置有背面银主栅电极、背面铝电极和穿透钝化膜的槽状结构,背面铝电极填充在槽状结构内并与p+掺杂区域形成欧姆接触;所述N型晶体硅基体的正表面包括正面电极,所述正面电极包括与所述n+掺杂区域欧姆接触的金属丝;所述N型晶体硅基体的长度与厚度的比值为300∶1~10000∶1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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