[实用新型]一种背结N型晶体硅太阳能电池和组件及其系统有效

专利信息
申请号: 201620312960.6 申请日: 2016-04-14
公开(公告)号: CN205542810U 公开(公告)日: 2016-08-31
发明(设计)人: 林建伟;孙玉海;刘志锋;季根华;张育政 申请(专利权)人: 泰州中来光电科技有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224
代理公司: 北京金之桥知识产权代理有限公司 11137 代理人: 林建军;刘卓夫
地址: 225500 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型涉及一种背结N型晶体硅太阳能电池和组件及其系统。本实用新型的一种背结N型晶体硅太阳能电池,包括N型晶体硅基体,N型晶体硅基体的背表面设置有背面银主栅电极、背面铝电极和穿透钝化膜的槽状结构,背面电极填充在槽状结构内并与p+掺杂区域形成欧姆接触;N型晶体硅基体的正表面包括正面电极,正面电极包括与n+掺杂区域欧姆接触的金属丝。其有益效果是:本实用新型得到的电池结构可提高电池的开路电压,同时还能够极大的减少电池的银浆消耗,从而降低电池片的制作成本。通过设置金属丝来形成副栅,在保证金属丝副栅电阻不增加的情况下,极大的减少电池的银浆消耗,从而降低电池片的制作成本。
搜索关键词: 一种 晶体 太阳能电池 组件 及其 系统
【主权项】:
一种背结N型晶体硅太阳能电池,包括N型晶体硅基体,所述N型晶体硅基体的正表面包括依次从内到外的n+掺杂区域和正表面钝化减反膜;所述N型晶体硅基体的背表面包括依次从内到外的p+掺杂区域和背表面钝化膜;其特征在于:所述N型晶体硅基体的背表面设置有背面银主栅电极、背面铝电极和穿透钝化膜的槽状结构,背面铝电极填充在槽状结构内并与p+掺杂区域形成欧姆接触;所述N型晶体硅基体的正表面包括正面电极,所述正面电极包括与所述n+掺杂区域欧姆接触的金属丝;所述N型晶体硅基体的长度与厚度的比值为300∶1~10000∶1。
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