[实用新型]低损伤埋结式碲镉汞探测器芯片

摘要

本专利公开了一种低损伤埋结式碲镉汞探测器芯片，它包括衬底，碲镉汞p型外延薄膜，离子注入n型区，钝化层，n型区电极，p型区电极，铟柱阵列，它涉及光电探测器件技术。本专利采用将p‑n结制备至碲镉汞材料腐蚀坑内部的结构方案，使得结区位置远离材料表面，避免了清洗、去胶等工艺对光敏元区的作用力导致的缺陷增值引起的探测器性能下降、盲元增加等问题。本专利对降低碲镉汞焦平面的盲元率有很大帮助。

主权项

一种低损伤埋结式碲镉汞探测器芯片，包括：红外衬底(1)，碲镉汞p型外延薄膜(2)，离子注入n型区(3)，钝化层(4)，n型区上电极(5)，p型区上电极(6)，铟柱阵列(7)；其特征在于：利用离子注入方法形成的离子注入n型区(3)制备在碲镉汞p型外延薄膜(2)上深度为0.5～3.0μm的腐蚀坑内部；离子注入窗口与腐蚀坑大小相等。