[实用新型]一种SiC-MOSFET的高速隔离驱动保护电路有效

专利信息
申请号: 201620319583.9 申请日: 2016-04-15
公开(公告)号: CN205725693U 公开(公告)日: 2016-11-23
发明(设计)人: 郑遵宇;杨苏;王飞;石聪聪;朱玉振;李绍武;梁琨 申请(专利权)人: 中国矿业大学
主分类号: H03K17/567 分类号: H03K17/567;H03K17/08
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 221116 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种SiC‑MOSFET的高速隔离驱动保护电路,包括高速CMOS数字隔离电路、高速驱动电路、栅源极过压保护电路和负压产生电路。高速CMOS数字隔离电路可以实现输入端和驱动电路的严格电位隔离,并能保证驱动的快速性;高速驱动电路可提供强大的驱动电流;栅源极过压保护电路可以防止栅源极出现过电压;负压产生电路给栅源极间提供一个负电压,使SiC‑MOSFET可靠关断。本实用新型可用在高频电路中快速驱动SiC‑MOSFET,兼具快速性、隔离性,以及可靠的保护功能。
搜索关键词: 一种 sic mosfet 高速 隔离 驱动 保护 电路
【主权项】:
一种SiC‑MOSFET的高速隔离驱动保护电路,其特征在于包括高速CMOS数字隔离电路、高速驱动电路、栅源极过压保护电路和负压产生电路,输入信号与所述高速CMOS数字隔离电路连接,所述高速CMOS数字隔离电路与高速驱动电路连接,所述高速驱动电路与SiC‑MOSFET栅极连接,所述栅源极过压保护电路与SiC‑MOSFET栅源极连接,所述负压产生电路与SiC‑MOSFET源极连接。
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