[实用新型]一种SiC-MOSFET的高速隔离驱动保护电路有效
申请号: | 201620319583.9 | 申请日: | 2016-04-15 |
公开(公告)号: | CN205725693U | 公开(公告)日: | 2016-11-23 |
发明(设计)人: | 郑遵宇;杨苏;王飞;石聪聪;朱玉振;李绍武;梁琨 | 申请(专利权)人: | 中国矿业大学 |
主分类号: | H03K17/567 | 分类号: | H03K17/567;H03K17/08 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 221116 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种SiC‑MOSFET的高速隔离驱动保护电路,包括高速CMOS数字隔离电路、高速驱动电路、栅源极过压保护电路和负压产生电路。高速CMOS数字隔离电路可以实现输入端和驱动电路的严格电位隔离,并能保证驱动的快速性;高速驱动电路可提供强大的驱动电流;栅源极过压保护电路可以防止栅源极出现过电压;负压产生电路给栅源极间提供一个负电压,使SiC‑MOSFET可靠关断。本实用新型可用在高频电路中快速驱动SiC‑MOSFET,兼具快速性、隔离性,以及可靠的保护功能。 | ||
搜索关键词: | 一种 sic mosfet 高速 隔离 驱动 保护 电路 | ||
【主权项】:
一种SiC‑MOSFET的高速隔离驱动保护电路,其特征在于包括高速CMOS数字隔离电路、高速驱动电路、栅源极过压保护电路和负压产生电路,输入信号与所述高速CMOS数字隔离电路连接,所述高速CMOS数字隔离电路与高速驱动电路连接,所述高速驱动电路与SiC‑MOSFET栅极连接,所述栅源极过压保护电路与SiC‑MOSFET栅源极连接,所述负压产生电路与SiC‑MOSFET源极连接。
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