[实用新型]一种稳定的以气体为绝缘层的纳米线场效应晶体管有效
| 申请号： | 201620320675.9 | 申请日： | 2016-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN205645822U | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 塔力哈尔·夏依木拉提;李文亮;彭敏;冯艳;谢宁 | 申请（专利权）人： | 塔力哈尔·夏依木拉提 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 徐宁;孙楠 |
| 地址： | 830000 新疆维吾尔自*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种稳定的以气体为绝缘层的纳米线场效应晶体管，它包括栅极、支撑层、源漏电极、微纳单晶半导体和气体间隙绝缘层。栅极为衬底，栅极上部设置有支撑层，支撑层上部两侧各设置有一个源漏电极，在两源漏电极之间设置有微纳单晶半导体；位于两源漏电极之间的微纳单晶半导体下方，在支撑层上纵向间隔设置有若干沟道，相邻沟道之间形成沟槽；由栅极上部、微纳单晶半导体下部和支撑层中间的沟槽构成若干个气体间隙绝缘层。本实用新型场效应晶体管结构更加稳定，避免了纳米线在感应电场的作用下塌陷，并无法正常工作的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 稳定 气体 绝缘 纳米 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种稳定的以气体为绝缘层的纳米线场效应晶体管，其特征在于：它包括栅极、支撑层、源漏电极、微纳单晶半导体和气体间隙绝缘层；所述栅极为衬底，所述栅极上部设置有所述支撑层，所述支撑层上部两侧各设置有一个所述源漏电极，在两所述源漏电极之间设置有所述微纳单晶半导体；位于两所述源漏电极之间的所述微纳单晶半导体下方，在所述支撑层上纵向间隔设置有若干沟道，相邻沟道之间形成沟槽；由所述栅极上部、所述微纳单晶半导体下部和所述支撑层中间的沟槽构成若干个所述气体间隙绝缘层。
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