[实用新型]一种PECVD镀膜设备有效
申请号: | 201620334861.8 | 申请日: | 2016-04-19 |
公开(公告)号: | CN205556777U | 公开(公告)日: | 2016-09-07 |
发明(设计)人: | 蔡伦 | 申请(专利权)人: | 温州巨亮光伏科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/50 | 分类号: | C23C16/50;C23C16/52 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 325000 浙江省温州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种PECVD镀膜设备,包括反应室、传送装置和冷却室,所述反应室和传送装置设置在冷却室顶部,所述反应室和传送装置连接部底端通过铰接件连接有挡板,所述冷却室一侧设置有控制器,所述冷却室顶部设置有冷却装置,所述反应室顶部通过管道固定有真空泵,所述真空泵出口设置有真空阀,所述反应室内部顶端设置有温度传感器,所述反应室内部上端固定有发热器,所述反应室内侧底端设置有特气管路,所述特气管路底端传送装置顶端设置有石墨舟,所述石墨舟内部设置有方格孔。该产品结构简单,成本低,操作方便,多组同时操作,反应均匀,节省步骤,减少工艺时间,提高工作效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 pecvd 镀膜 设备 | ||
【主权项】:
一种PECVD镀膜设备,包括反应室(8)、传送装置(9)和冷却室(11),所述反应室(8)和传送装置(9)设置在冷却室(11)顶部,其特征在于:所述反应室(8)和传送装置(9)连接部底端通过铰接件连接有挡板(10),所述冷却室(11)一侧设置有控制器(13),所述控制器(13)与传送装置(9)电性连接,所述冷却室(11)顶部设置有冷却装置(12),所述冷却装置(12)与控制器(13)电性连接,所述反应室(8)顶部通过管道固定有真空泵(7),所述真空泵(7)出口设置有真空阀(6),所述真空阀(6)与控制器(13)电性连接,所述反应室(8)内部顶端设置有温度传感器(5),所述温度传感器(5)与控制器(13)电性连接,所述反应室(8)内部上端固定有发热器(4),所述发热器(4)与控制器(13)电性连接,所述反应室(8)内侧底端设置有特气管路(3),所述特气管路(3)底端传送装置(9)顶端设置有石墨舟(1),所述石墨舟(1)内部设置有方格孔(2)。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的