[实用新型]一种光伏发电多晶硅片有效
申请号: | 201620334914.6 | 申请日: | 2016-04-19 |
公开(公告)号: | CN205542816U | 公开(公告)日: | 2016-08-31 |
发明(设计)人: | 孙显强;李莉花;陈德超 | 申请(专利权)人: | 温州市赛拉弗能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/04 | 分类号: | H01L31/04;H01L31/0248 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 325000 浙江省温*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种光伏发电多晶硅片,包括第一多晶单元行和第二多晶单元行,所述第一多晶单元行和第二多晶单元行均包含有多晶单元,所述多晶单元上层设有吸光层,所述吸光层下部设有P型多晶硅层,所述P型多晶硅层下部设有N型多晶硅层,所述P型多晶硅层与N型多晶硅层中间连接部分形成PN结,所述P型多晶硅层上设有上电极,所述N型多晶硅层上设有下电极,所述第一多晶单元行和第二多晶单元行均由多晶单元的上电极和下电极串联连接形成,所述第一多晶单元行的左端为下电极,所述第二多晶单元行的左端为上电极。该能通过电流方向相反特性,形成电场而产生的感应电流方向不会互相产生影响,可以提高光伏发电的光能发电率。 | ||
搜索关键词: | 一种 发电 多晶 硅片 | ||
【主权项】:
一种光伏发电多晶硅片,包括第一多晶单元行(2)和第二多晶单元行(3),其特征在于:所述第一多晶单元行(2)和第二多晶单元行(3)均包含有多晶单元(1),所述多晶单元(1)上层设有吸光层(11),所述吸光层(11)下部设有P型多晶硅层(12),所述P型多晶硅层(12)下部设有N型多晶硅层(15),所述P型多晶硅层(12)与N型多晶硅层(15)中间连接部分形成PN结(13),所述P型多晶硅层(12)上设有上电极(16),所述N型多晶硅层(15)上设有下电极(14),所述第一多晶单元行(2)和第二多晶单元行(3)均由多晶单元(1)的上电极(16)和下电极(14)串联连接形成,所述第一多晶单元行(2)的左端为下电极(14),所述第二多晶单元行(3)的左端为上电极(16)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于温州市赛拉弗能源有限公司,未经温州市赛拉弗能源有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201620334914.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的