[实用新型]一种氮化镓基发光二极管有效
| 申请号： | 201620337327.2 | 申请日： | 2016-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN205645877U | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 周弘毅;张永;陈凯轩;李俊贤;刘英策;陈亮;魏振东;李小平;吴奇隆;蔡立鹤;邬新根;黄新茂 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/54 | 分类号： | H01L33/54 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 361000 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种氮化镓基发光二极管，涉及发光二极管技术领域。包括依次设置在衬底同一侧的N‑GaN层、有源区、P‑GaN层和电流扩展层，在刻蚀形成的裸露的N‑GaN层上设置N电极，在电流扩展层上设置P电极，在有源区、P‑GaN层和电流扩展层的外表面分别设置PV层，其特征在于在电流扩展层上表面的PV层呈凹凸形。本实用新型通过电流扩展层上表面呈凹凸形状的PV层，使PV层的等效折射率发生渐变，从而增强表面多角度的透射率，使更多的光能够出射，增加LED芯片的光提取效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基发光二极管，包括依次设置在衬底同一侧的N‑GaN层、有源区、P‑GaN层和电流扩展层，在刻蚀形成的裸露的N‑GaN层上设置N电极，在电流扩展层上设置P电极，在有源区、P‑GaN层和电流扩展层的外表面分别设置PV层，其特征在于在电流扩展层上表面的PV层呈凹凸形。
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