[实用新型]应用六方形螺旋环分压器的硅漂移室探测器有效
申请号: | 201620338738.3 | 申请日: | 2016-04-20 |
公开(公告)号: | CN205542848U | 公开(公告)日: | 2016-08-31 |
发明(设计)人: | 李正;李玉云 | 申请(专利权)人: | 湘潭大学 |
主分类号: | H01L31/115 | 分类号: | H01L31/115 |
代理公司: | 长沙星耀专利事务所 43205 | 代理人: | 许伯严 |
地址: | 411105 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种应用六方形螺旋环分压器的硅漂移室探测器,属于X射线和伽马射线半导体探测器技术领域,包括在硅基上制作的六方形螺旋环分压器和六方形硅漂移室,螺旋环分压器的硅基块的上表面和下表面均蚀刻有螺旋环,硅漂移室的硅基块的上表面和下表面均蚀刻有同心环,螺旋环之间及同心环之间的间距较宽的是P型重掺杂区域,螺旋环之间及同心环之间的间距较窄的是N型轻掺杂区域;P型重掺杂螺旋环或同心环的宽度能做渐进变宽调节,P型重掺杂同心环宽度与P型重掺杂同心环宽度和N型轻掺杂区域宽度之和的比率η≥0.7。解决了现有探测器自身产热高、不易散热、耗能大、成本高的问题。 | ||
搜索关键词: | 应用 方形 螺旋 环分压器 漂移 探测器 | ||
【主权项】:
一种应用六方形螺旋环分压器的硅漂移室探测器,其特征在于,包括在硅基上制作的六方形螺旋环分压器(1)和六方形硅漂移室(2),六方形螺旋环分压器(1)的硅基块的上表面和下表面均蚀刻有螺旋环,六方形硅漂移室(2)的硅基块的上表面和下表面均蚀刻有同心环,螺旋环之间及同心环之间的间距较宽的是P型重掺杂区域,螺旋环之间及同心环之间的间距较窄的是N型轻掺杂区域;P型重掺杂螺旋环或同心环的宽度能做渐进变宽调节,P型重掺杂同心环宽度与P型重掺杂同心环宽度和N型轻掺杂区域宽度之和的比率η≥0.7。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的