[实用新型]基于铁电薄膜和自组装磁性纳米颗粒结构的微纳米磁电耦合器件有效

专利信息
申请号: 201620338942.5 申请日: 2016-04-17
公开(公告)号: CN205657088U 公开(公告)日: 2016-10-19
发明(设计)人: 刘晓燕;邸永江;李江宇;谢淑红 申请(专利权)人: 重庆科技学院
主分类号: H01L43/00 分类号: H01L43/00;H01L43/02;H01L43/12
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 401331 重庆市沙*** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 实用新型针对高性能微纳米磁电耦合器件不容易进行可控制备的问题,提出了一种通过压电力响应显微技术对铁电薄膜进行图形化+Z和‑Z铁电畴加工,再通过光化学沉积法在铁电畴表面极化自组装磁性金属纳米颗粒,制备出具有铁电薄膜和自组装磁性纳米颗粒结构的磁电耦合器件。该器件包括铁电薄膜层,支撑铁电薄膜的导电基底,以及在铁电薄膜层上自组装形成的磁性纳米颗粒结构。本实用新型利用压电力响应显微技术加工微纳米级按任意图形极化分布的PZT铁电畴,通过光化学沉积法自组装磁性金属纳米颗粒结构,生产工艺简单,适宜于微纳米磁电耦合器件的集成化制备。
搜索关键词: 基于 薄膜 组装 磁性 纳米 颗粒 结构 磁电 耦合 器件
【主权项】:
一种基于铁电薄膜和自组装磁性纳米颗粒结构的磁电耦合器件,其特征在于:包括铁电薄膜层,支撑铁电薄膜的导电基底,以及图形化磁性金属纳米颗粒结构。所述的铁电薄膜包括锆钛酸铅薄膜、钛酸钡薄膜、钛酸铅薄膜、钛酸铋薄膜、钛酸锶钡薄膜、坦酸锶铋薄膜、锆钛酸铅镧薄膜、铌酸锂薄膜、镁铌酸铅薄膜、锌铌酸铅薄膜、坦铌酸钾薄膜。所述的导电基底包括Pt/SiO2/Si基底、Au/Si基底、Ag/Si基底、Cu/Si基底、Ni/Si基底、导电玻璃基底、石墨基底、导电陶瓷基底、金属箔片基底、普通金属基底、导电塑料基底。
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