[实用新型]一种大批量芯片等离子处理专用电极有效
申请号: | 201620339097.3 | 申请日: | 2016-04-21 |
公开(公告)号: | CN205576277U | 公开(公告)日: | 2016-09-14 |
发明(设计)人: | 郑亮 | 申请(专利权)人: | 郑亮 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513;C23C16/50;H01L33/00 |
代理公司: | 北京市诚辉律师事务所 11430 | 代理人: | 郎坚 |
地址: | 100088 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及一种大批量芯片等离子处理专用电极,包括真空舱体、样品架、绝缘材料、真空泵、样品料盒和高频高压电。所述样品架为垂直多层结构,置于真空舱体内部;所述真空舱体作为阴极,样品架作为阳极,阳极和阴极平行间隔排列;所述样品料盒直接置于样品架上,其侧面开有孔洞,使得样品料盒外部的离子能够穿过孔洞轰击样品料盒内的样品;同时样品料盒内部存在的气体分子被电离后,也会向阴极运动,轰击样品,使样品得到有效的等离子轰击处理。因为阴阳极板是平行排列的,所以在每对极板之间的等离子密度是一致的,即速度和方向一致性得到了保证,从而提高了产品的一致性。 | ||
搜索关键词: | 一种 大批量 芯片 等离子 处理 专用 电极 | ||
【主权项】:
一种大批量芯片等离子处理专用电极,其特征在于,所述电极包括:真空舱体(1)、样品架(2)、绝缘材料(3)、真空泵(4)、样品料盒(5)和高频高压电(6);所述样品架(2)置于所述真空舱体(1)内部;所述真空舱体(1)作为阴极,样品架(2)作为阳极,阴极和阳极平行间隔排列。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于郑亮,未经郑亮许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201620339097.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的