[实用新型]双层瓷片厚膜无感功率电阻有效
| 申请号： | 201620349502.X | 申请日： | 2016-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN205582649U | 公开（公告）日： | 2016-09-14 |
| 发明（设计）人： | 魏庄子;艾小军;仉增维 | 申请（专利权）人： | 深圳意杰（EBG）电子有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/00 | 分类号： | H01C7/00;H01C1/08 |
| 代理公司： | 深圳市神州联合知识产权代理事务所(普通合伙) 44324 | 代理人： | 周松强 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种双层瓷片厚膜无感功率电阻，该电阻包括电阻外壳、第一厚膜平面瓷芯片和第二厚膜平面瓷芯片；第一厚膜平面瓷芯片固定在电阻外壳的底端上，且两者围合成一腔体，第二厚膜平面瓷芯片置于该腔体内且焊接在第一厚膜平面瓷芯片的第一介质层上；第一厚膜平面瓷芯片与第二厚膜平面瓷芯片焊接后两者形成并联结构。本实用新型将第一厚膜平面瓷芯片和第二厚膜平面瓷芯片通过焊接后两者形成并联结构，该并联结构实现了该电阻芯片的双层瓷芯片结构，进而使得电阻膜层面积增加了一倍，因此在额定功率不变的前提下，极大地提高了电阻的耐脉冲能力。 | ||
| 搜索关键词： | 双层 瓷片 厚膜无感 功率 电阻 | ||
【主权项】：
一种双层瓷片厚膜无感功率电阻，其特征在于，包括电阻外壳、第一厚膜平面瓷芯片和第二厚膜平面瓷芯片；所述第一厚膜平面瓷芯片固定在电阻外壳的底端上，且两者围合成一腔体，所述第二厚膜平面瓷芯片置于该腔体内且焊接在第一厚膜平面瓷芯片的第一介质层上；所述第一厚膜平面瓷芯片与第二厚膜平面瓷芯片焊接后两者形成并联结构。
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