[实用新型]一种基于PWM驱动的MOS电路有效
申请号: | 201620352527.5 | 申请日: | 2016-04-21 |
公开(公告)号: | CN205566255U | 公开(公告)日: | 2016-09-07 |
发明(设计)人: | 胡立鸣 | 申请(专利权)人: | 象山杰尔德智能科技有限公司 |
主分类号: | H03K17/687 | 分类号: | H03K17/687;H03K17/08 |
代理公司: | 北京华仲龙腾专利代理事务所(普通合伙) 11548 | 代理人: | 李静 |
地址: | 315700 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种基于PWM驱动的MOS电路,包括电阻R1、三极管Q1、三极管Q2、电容C1、电阻R7和三极管Q3,所述电阻R1连接PWM信号,电阻R1另一端分别连接三极管Q1发射极和三极管Q2发射极,三极管Q1基极分别连接三极管Q2基极、电阻R2、电阻R3和三极管Q5集电极,电阻R2另一端连接电压V1,三极管Q5发射极分别连接电阻R7和电容C1,电阻R7另一端分别连接电容C1另一端、电阻R5、三极管Q4发射极和电阻R3另一端并接地。本实用新型基于PWM驱动的MOS电路把MOS管的G极电压和电流都限制在一个有限的数值,从而安全的驱动MOS管,安全性高。 | ||
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【主权项】:
一种基于PWM驱动的MOS电路,包括电阻R1、三极管Q1、三极管Q2、电容C1、电阻R7和三极管Q3,其特征在于,所述电阻R1连接PWM信号,电阻R1另一端分别连接三极管Q1发射极和三极管Q2发射极,三极管Q1基极分别连接三极管Q2基极、电阻R2、电阻R3和三极管Q5集电极,电阻R2另一端连接电压V1,三极管Q5发射极分别连接电阻R7和电容C1,电阻R7另一端分别连接电容C1另一端、电阻R5、三极管Q4发射极和电阻R3另一端并接地,电阻R5另一端分别连接三极管Q5基极和电阻R6,电阻R6另一端分别连接电阻R4和MOS管的G极,电阻R4另一端分别连接三极管Q3集电极和三极管Q4集电极,三极管Q3发射极连接电压V2,三极管Q4基极连接三级管Q2集电极。
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