[实用新型]一种局部背表面场N型太阳能电池及其组件和系统有效
申请号: | 201620358852.2 | 申请日: | 2016-04-26 |
公开(公告)号: | CN205657064U | 公开(公告)日: | 2016-10-19 |
发明(设计)人: | 林建伟;孙玉海;刘志锋;季根华;张育政 | 申请(专利权)人: | 泰州中来光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/042 |
代理公司: | 北京金之桥知识产权代理有限公司 11137 | 代理人: | 林建军;刘卓夫 |
地址: | 225500 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种局部背表面场N型太阳能电池及其组件和系统。本实用新型的一种局部背表面场N型太阳能电池,N型晶体硅基体的正表面包括依次从内到外的p+掺杂区域和正表面钝化减反膜;N型晶体硅基体的背表面包括依次从内到外的局部n+重掺杂区域和背表面钝化膜;N型晶体硅基体还包括设置在背表面的背面电极,背面电极包括背面主栅和背面副栅,背面副栅与局部n+重掺杂区域连接,正面电极包括与p+掺杂区域欧姆接触的金属丝。其有益效果是:由于背面副栅仅和局部n+重掺杂区域接触,所以接触电阻低;其他区域为非掺杂区域,所以俄歇复合低;通过设置金属丝来形成正面副栅,极大的减少电池的银浆消耗,从而降低电池片的制作成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 局部 表面 太阳能电池 及其 组件 系统 | ||
【主权项】:
一种局部背表面场N型太阳能电池,包括N型晶体硅基体,所述N型晶体硅基体的正表面包括依次从内到外的p+掺杂区域和正表面钝化减反膜;所述N型晶体硅基体的背表面包括依次从内到外的局部n+重掺杂区域和背表面钝化膜;其特征在于:所述N型晶体硅基体还包括设置在背表面的背面电极,所述背面电极包括背面主栅和背面副栅,所述背面副栅与所述局部n+重掺杂区域连接,正面电极包括与所述p+掺杂区域欧姆接触的金属丝;所述背面主栅的长与宽的比值小于或者等于600。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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