[实用新型]一种IPD低通滤波器有效
申请号: | 201620364065.9 | 申请日: | 2016-04-27 |
公开(公告)号: | CN205647456U | 公开(公告)日: | 2016-10-12 |
发明(设计)人: | 邢孟江;代传相;朱友杰;郭绪跃;王维 | 申请(专利权)人: | 昆明理工大学 |
主分类号: | H03H5/00 | 分类号: | H03H5/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 650093 云*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种IPD低通滤波器,属于电子技术领域。本实用新型包括两层基板和一层集成LC低通滤波器;所述的两层基板是半导体硅基板;集成LC低通滤波器通过光刻、金属沉积、干法刻蚀、高温氧化刻蚀在第一层硅基板上,其中集成LC低通滤波器的电感和电容之间通过引线孔光刻方式实现连接;利用通孔和PCB载板接合封装,封装方式为芯片连接端通过TSV硅通孔方式形成通路。本实用新型具有高性价比、小尺寸、低插入损耗、选频性能好、温度稳定性好等优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 ipd 滤波器 | ||
【主权项】:
一种IPD低通滤波器,其特征在于:包括两层基板和一层集成LC低通滤波器;所述的两层基板是半导体硅基板;集成LC低通滤波器通过光刻、金属沉积、干法刻蚀、高温氧化刻蚀在第一层硅基板上,其中集成LC低通滤波器的电感和电容之间通过引线孔光刻方式实现连接;利用通孔和PCB载板接合封装,封装方式为芯片连接端通过TSV硅通孔方式形成通路。
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