[实用新型]一种非晶硅微晶硅复合型太阳能电池有效
申请号: | 201620366899.3 | 申请日: | 2016-04-27 |
公开(公告)号: | CN205723579U | 公开(公告)日: | 2016-11-23 |
发明(设计)人: | 魏国祯 | 申请(专利权)人: | 南安市高捷电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/076 | 分类号: | H01L31/076;H01L31/0376;H01L31/0384;H01L31/0392;H01L31/054;H01L31/0352;H01L31/0224;B82Y30/00;B82Y40/00 |
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地址: | 362333 福建省泉*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种非晶硅微晶硅复合型太阳能电池,涉及太阳能电池领域,包括由上而下层叠设置的透明导电玻璃基板、透明导电膜、非晶硅顶电池、微晶硅底电池和背板,所述非晶硅顶电池包括P型掺杂层一、非晶硅缓冲层、非晶硅本征层和N型掺杂层一,所述微晶硅底电池包括P型掺杂层二、微晶硅缓冲层、微晶硅本征层和N型掺杂层二,所述透明导电玻璃基板内设有非晶硅纳米线阵列,所述P型掺杂层一和P型掺杂层二均由有氢沉积层和无氢沉积层组成,所述背板包括背电极层和封装层,该种非晶硅微晶硅复合型太阳能电池可以在调整原有生产工艺后,提高太阳能电池的稳定性,提高了光电转换效率且降低成本,值得推广。 | ||
搜索关键词: | 一种 非晶硅微晶硅 复合型 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种非晶硅微晶硅复合型太阳能电池,其特征在于,包括由上而下层叠设置的透明导电玻璃基板、透明导电膜、非晶硅顶电池、微晶硅底电池和背板,所述非晶硅顶电池包括P型掺杂层一、非晶硅缓冲层、非晶硅本征层和N型掺杂层一,所述微晶硅底电池包括P型掺杂层二、微晶硅缓冲层、微晶硅本征层和N型掺杂层二,所述透明导电玻璃基板内设有非晶硅纳米线阵列,所述P型掺杂层一和P型掺杂层二均由有氢沉积层和无氢沉积层组成,所述背板包括背电极层和封装层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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