[实用新型]图像传感器有效
申请号: | 201620382292.4 | 申请日: | 2016-04-29 |
公开(公告)号: | CN205582940U | 公开(公告)日: | 2016-09-14 |
发明(设计)人: | D·泰克莱布;G·D·阿米西斯 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开涉及图像传感器。一个目的是解决与现有技术中存在的一个或更多个问题相关的问题。根据本实用新型的一个方面,提供一种图像传感器。该图像传感器可以包括:衬底,所述衬底包括光电二极管阵列;多个隔离区,其中每个隔离区插置在所述光电二极管阵列中的一对相邻光电二极管之间;以及多个导电层。其中每个导电层形成于相应隔离区中,并且其中每个导电层电连接至偏置电压供应线。根据本实用新型的实施例的一个有益技术效果可以是:能够提供改进的图像传感器。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 | ||
【主权项】:
一种图像传感器,其特征在于所述图像传感器包括:衬底,所述衬底包括光电二极管阵列;多个隔离区,其中每个隔离区插置在所述光电二极管阵列中的一对相邻光电二极管之间;以及多个导电层,其中每个导电层形成于相应隔离区中,并且其中每个导电层电连接至偏置电压供应线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的