[实用新型]图像传感器有效

专利信息
申请号: 201620382292.4 申请日: 2016-04-29
公开(公告)号: CN205582940U 公开(公告)日: 2016-09-14
发明(设计)人: D·泰克莱布;G·D·阿米西斯 申请(专利权)人: 半导体元件工业有限责任公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 申发振
地址: 美国亚*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 本公开涉及图像传感器。一个目的是解决与现有技术中存在的一个或更多个问题相关的问题。根据本实用新型的一个方面,提供一种图像传感器。该图像传感器可以包括:衬底,所述衬底包括光电二极管阵列;多个隔离区,其中每个隔离区插置在所述光电二极管阵列中的一对相邻光电二极管之间;以及多个导电层。其中每个导电层形成于相应隔离区中,并且其中每个导电层电连接至偏置电压供应线。根据本实用新型的实施例的一个有益技术效果可以是:能够提供改进的图像传感器。
搜索关键词: 图像传感器
【主权项】:
一种图像传感器,其特征在于所述图像传感器包括:衬底,所述衬底包括光电二极管阵列;多个隔离区,其中每个隔离区插置在所述光电二极管阵列中的一对相邻光电二极管之间;以及多个导电层,其中每个导电层形成于相应隔离区中,并且其中每个导电层电连接至偏置电压供应线。
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