[实用新型]一种静电放电监测结构有效
| 申请号： | 201620387602.1 | 申请日： | 2016-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN205582932U | 公开（公告）日： | 2016-09-14 |
| 发明（设计）人： | 王志娟;宋永梁;杨莉娟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 唐棉棉 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种静电放电监测结构，所述静电放电监测结构至少包括：多个串联的焊垫，包括第一焊垫、第二焊垫、……、第N焊垫，N≥2；一MOS管，设置在所述第一焊垫、第二焊垫之间，所述MOS管的衬底通过第一焊垫接地，所述MOS管的栅极通过金属结构电连至第二焊垫；多对反向串联的二极管，每一对反向串联的二极管的一端正极均接至第一焊垫、另一端正极分别接至对应的第二焊垫、……、第N焊垫。通过本实用新型的静电放电监测结构，可以监测到结构中栅极电流的变化大小，从而监测芯片在工艺过程中遭受静电放电电荷的影响程度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 静电 放电 监测 结构 | ||
【主权项】：
一种静电放电监测结构，其特征在于，所述静电放电监测结构至少包括：多个串联的焊垫，包括第一焊垫、第二焊垫、……、第N焊垫，N≥2；一MOS管，设置在所述第一焊垫、第二焊垫之间，所述MOS管的衬底通过第一焊垫接地，所述MOS管的栅极通过金属结构电连至第二焊垫；多对反向串联的二极管，每一对反向串联的二极管的一端正极均接至第一焊垫、另一端正极分别接至对应的第二焊垫、……、第N焊垫。
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