[实用新型]一种负温度系数的电流源电路有效

专利信息
申请号: 201620390118.4 申请日: 2016-05-03
公开(公告)号: CN205563352U 公开(公告)日: 2016-09-07
发明(设计)人: 刘辉;王鑫 申请(专利权)人: 成都振芯科技股份有限公司
主分类号: G05F3/28 分类号: G05F3/28
代理公司: 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 代理人: 袁英
地址: 610000 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 实用新型公开了一种负温度系数的电流源电路,包括PMOS晶体管MP1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R、运放A1和三极管P1;PMOS晶体管MP1的源极与工作电源VCC连接,PMOS晶体管MP1的漏极通过第三公共点c分别与第一电阻R1一端和第二电阻R2的一端连接,第一电阻R1的另一端连接到第一公共点在a,第二电阻R2的另一端连接到第二公共点b;第一公共点a与通过第三电阻R接地;第二公共点b与三极管P1的发射极连接,三极管P1的集电极和基极接地;第一公共点a还与运放A1的正向输入端连接,第二公共点b还与运放A1的反向输入端连接,运放A1的输出端与PMOS晶体管MP1的栅极连接。本实用新型提供了一种负温度系数的电流源电路,通过电路来实现电流对温度的微分是负数的效果,结构简单。
搜索关键词: 一种 温度 系数 电流 电路
【主权项】:
一种负温度系数的电流源电路,其特征在于:包括PMOS晶体管MP1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R、运放A1和三极管P1; PMOS晶体管MP1的源极与工作电源VCC连接,PMOS晶体管MP1的漏极与第三公共点c连接,第三公共点c分别与第一电阻R1一端和第二电阻R2的一端连接, 第一电阻R1的另一端连接到第一公共点在a,第二电阻R2的另一端连接到第二公共点b;第一公共点a与第三电阻R的一端连接,第三电阻R的另一端接地;第二公共点b与三极管P1的发射极连接,三极管P1的集电极和基极接地;第一公共点a还与运放A1的正向输入端连接,第二公共点b还与运放A1的反向输入端连接,运放A1的输出端与PMOS晶体管MP1的栅极连接。
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