[实用新型]覆盖环以及物理气相沉积系统有效
| 申请号： | 201620398803.1 | 申请日： | 2016-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN205723449U | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 刘世樑;罗志明;刘耀鸿;左明光 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种覆盖环以及物理气相沉积系统。其中该覆盖环适用于物理气相沉积系统中，以至少覆盖一晶片的边缘。覆盖环包括一楔型环，有一基面以及一斜面。该基面当作水平的参考面，该斜面往内部方向倾斜且与该基面夹有一倾斜角度，该倾斜角度小于5°，且大于或等于0.5°，且该楔型环的内直径大于297.9mm且小于300mm。 | ||
| 搜索关键词： | 覆盖 及物 理气 沉积 系统 | ||
【主权项】：
一种覆盖环，适用于物理气相沉积系统中，以至少覆盖一晶片的边缘，其特征在于，该覆盖环包括:楔型环，有基面以及斜面，其中该基面当作水平的参考面，该斜面往内部方向倾斜且与该基面夹有一倾斜角度，该倾斜角度小于5°，且大于或等于0.5°，其中该楔型环的内直径大于297.9mm且小于300mm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
