[实用新型]增益可调式射频放大器

摘要

本实用新型公开一种增益可调式射频放大器，其包括第一NMOS管NM1、第二NMOS管NM2、第三NMOS管NM3、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第一电阻R1、第一电感L1、第二电感L2、第一偏置电压VB1、第二偏置电压VB2、第三偏置电压VB3、第四偏置电压VB4及电源电压RFVDD。与现有技术相比，本实用新型在传统固定增益放大器的电路结构上增加一条反馈电路，通过该反馈电路实现增益可调，大大扩展了该放大器的用途范围；通过在第一NMOS管NM1的栅级处增设一条偏置电路，主要用于调节输入阻抗匹配，提高电路灵敏度及该放大器的整体性能。

主权项

一种增益可调式射频放大器，其特征在于：包括第一NMOS管NM1、第二NMOS管NM2、第三NMOS管NM3、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第一电阻R1、第一电感L1、第二电感L2、第一偏置电压VB1、第二偏置电压VB2、第三偏置电压VB3、第四偏置电压VB4及电源电压RFVDD；所述第一电容C1的上极板连接射频信号输入端RFIN，所述第一电容C1的下极板与第一电阻R1的一端、第三NMOS管NM3的源极及第一NMOS管NM1的栅极连接，第一电阻R1的另一端连接第一偏置电压VB1；第三NMOS管NM3的栅极连接第三偏置电压VB3，第三电容C3的下极板与第一电感L1的一端、第二电容C2的上极板及第二NMOS管NM2的漏极连接，所述第一电感L1的另一端接电源电压RFVDD，第二电容C2的下极板连接射频信号输出端RFOUT，第二NMOS管NM2的栅极连接第二偏置电压VB2，第二NMOS管NM2的源极连接第一NMOS管NM1的漏极，第一NMOS管NM1的栅极与第三NMOS管NM3的源极、第一电容C1的下极板及第一电阻R1的一端连接，第一NMOS管NM1的源极与第二电感L2的一端连接，第二电感L2的另一端接地，所述第四电容的上极板接电源电压RFVDD，第四电容的下极板接地。