[实用新型]一种新型增强型III-V异质结场效应晶体管有效
| 申请号： | 201620407438.6 | 申请日： | 2016-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN205564759U | 公开（公告）日： | 2016-09-07 |
| 发明（设计）人： | 董志华;程知群;刘国华;柯华杰;周涛 | 申请（专利权）人： | 杭州电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/205 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人： | 吴建锋 |
| 地址： | 310018*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种新型增强型III‑V异质结场效应晶体管，在衬底材料层上形成第二半导体层，在第二半导体层上构造出漏电极和源电极，漏电极和源电极之间通过第一半导体层相连且与第一半导体层欧姆接触从而形成沟道；第一半导体层比第二半导体层具有更大的禁带宽度；第二半导体层和第一半导体层结合在一起构成异质结构；第一半导体层的厚度不大于在异质结构上形成二维电子气2DEG的临界厚度，使异质结构中天然的二维电子气2DEG被耗尽。相对于现有技术，本实用新型提供的新型增强型III‑V异质结场效应晶体管，利用薄势垒层方案获得耗尽的沟道，采用高栅电压重新诱导出2DEG，从而实现性能稳定的增强型器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 增强 iii 异质结 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种新型增强型III‑V异质结场效应晶体管，其特征在于，包括衬底材料层(1)、第二半导体层(2)、第一半导体层(3)、漏电极(4)、源电极(5)、第一介质层(6)，第二介质层(7)和栅电极(8)，其中，在所述衬底材料层(1)上形成所述第二半导体层(2)，在所述第二半导体层(2)上构造出漏电极(4)和源电极(5)，所述漏电极(4)和源电极(5)之间通过第一半导体层(3)相连且与第一半导体层(3)欧姆接触从而形成沟道；所述第一半导体层(3)比所述第二半导体层(2)具有更大的禁带宽度；所述第二半导体层(2)和所述第一半导体层(3)结合在一起构成异质结构；所述第一半导体层(3)的厚度不大于在异质结构上形成二维电子气2DEG的临界厚度，使所述异质结构中天然的二维电子气2DEG被耗尽；所述第一半导体层(3)表面还设有第一介质层(6)，所述第一介质层(6)上设有所述栅电极(8)，所述栅电极(8)覆盖整个沟道长度且所述栅电极(8)的两个边缘延伸分别超过所述漏电极(4)和源电极(5)靠近沟道一侧的边缘，在所述栅电极(8)与所述漏电极(4)、源电极(5)之间设有所述第二介质层(7)。
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