[实用新型]具有集成栅源电容的RC IGBT器件

摘要

本实用新型涉及具有集成栅源电容的RC IGBT器件，其集电极层包括第二导电类型集电区以及第一导电类型集电区；在半导体基板内还设置至少一个用于形成栅源电容的浅槽栅，电容沟槽的高度小于第二导电类型阱区的深度；电容沟槽的侧壁及底壁设置覆盖有电容绝缘氧化层，并在覆盖有电容绝缘氧化层的电容沟槽内填充有电容导电多晶硅，且电容沟槽的槽口由第一主面上的电容绝缘介质层覆盖；电容沟槽内的电容导电多晶硅与半导体基板第一主面上用于形成栅电极的栅极金属欧姆接触。本实用新型其结构紧凑，能在不增加芯片面积的情况下集成得到栅源电容，可以灵活设计栅源电容的分布状态，且能精确控制栅源电容的电容值，与现有工艺相兼容。

主权项

一种具有集成栅源电容的RC IGBT器件，包括具有两个相对主面的半导体基板，半导体基板的两个相对主面包括第一主面以及与第一主面相对应的第二主面；半导体基板的第一主面与第二主面间包括第一导电类型基区；在半导体基板的第一导电类型基区内设置若干规则排布且相互平行分布的有源元胞，所述有源元胞包括位于第一导电类型基区内上部的第二导电类型阱区，所述第二导电类型阱区与半导体基板第一主面上的源极金属欧姆接触；其特征是：在所述半导体基板的第二主面上设置集电极结构，所述集电极结构包括集电极金属以及与所述集电极金属欧姆接触的集电极层，集电极层位于集电极金属与半导体基板的第二主面间，所述集电极层包括第二导电类型集电区以及位于所述第二导电类型集电区内的第一导电类型集电区；在半导体基板内还设置至少一个用于形成栅源电容的浅槽栅，所述浅槽栅包括位于第二导电类型阱区内的电容沟槽，所述电容沟槽的高度小于第二导电类型阱区的深度；所述电容沟槽的侧壁及底壁设置覆盖有电容绝缘氧化层，并在覆盖有电容绝缘氧化层的电容沟槽内填充有电容导电多晶硅，且所述电容沟槽的槽口由第一主面上的电容绝缘介质层覆盖；电容沟槽内的电容导电多晶硅与半导体基板第一主面上用于形成栅电极的栅极金属欧姆接触。