[实用新型]肖特基二极管有效
| 申请号： | 201620408583.6 | 申请日： | 2016-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN205752185U | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 陆阳;韩广涛;黄必亮;周逊伟 | 申请（专利权）人： | 杰华特微电子（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/40 |
| 代理公司： | 杭州千克知识产权代理有限公司 33246 | 代理人： | 赵芳 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州市余*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种肖特基二极管，包括半导体衬底，所述半导体衬底设有高压N阱区，多个沟槽或场氧结构将高压N阱区分隔为阳极区和阴极区，所述高压N阱区与金属层连接，所述肖特基二极管还包括多晶硅场板，所述多晶硅场板与所述金属层连接。本实用新型提供了一种同时兼顾大正向导通电流和高反向击穿电压的需求、降低成本的肖特基二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
一种肖特基二极管，包括半导体衬底，所述半导体衬底设有高压N阱区，多个沟槽或场氧结构将高压N阱区分隔为阳极区和阴极区，所述高压N阱区与金属层连接，其特征在于：所述肖特基二极管还包括多晶硅场板，所述多晶硅场板与所述金属层连接。
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