[实用新型]一种倒装发光二极管有效

专利信息
申请号: 201620412701.0 申请日: 2016-05-09
公开(公告)号: CN205752231U 公开(公告)日: 2016-11-30
发明(设计)人: 杨杰;常文斌;林宇杰 申请(专利权)人: 上海博恩世通光电股份有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/46;H01L33/36;H01L33/38
代理公司: 上海光华专利事务所 31219 代理人: 罗泳文
地址: 201108 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型提供一种倒装发光二极管,所述发光二极管包括:生长衬底;发光外延结构,形成于所述生长衬底之上,所述发光外延结构中形成有N电极台阶;ITO层,形成于所述发光外延结构表面,所述ITO层中形成有图形孔洞结构;Ag反射层,形成所述ITO层及图形孔洞结构内,并同时与ITO层及发光外延结构接触;N焊盘及P焊盘。本实用新型在溅射或蒸镀的ITO层上腐蚀或刻蚀出规则或不规则图形以单一或组合形式存在,接着蒸镀或溅射Ag反射层使其分别与ITO层与氮化镓发光外延接触,使得部分光线不需要进入ITO层就可以被反射出去,提高了发光二极管的亮度。另外,Ag同时与氮化镓及ITO层接触,提高了导电率,从而提高了电流的效率。
搜索关键词: 一种 倒装 发光二极管
【主权项】:
一种倒装发光二极管,其特征在于,包括:生长衬底;发光外延结构,形成于所述生长衬底之上,所述发光外延结构中形成有N电极台阶;ITO层,形成于所述发光外延结构表面,所述ITO层中形成有图形孔洞结构;Ag反射层,形成所述ITO层及图形孔洞结构内,并同时与ITO层及发光外延结构接触,所述Ag反射层中定义有P焊盘区域;N焊盘,形成于所述N电极台阶上;P焊盘,形成于所述P焊盘区域上。
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