[实用新型]一种灯丝型发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201620413316.8 | 申请日： | 2016-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN205828417U | 公开（公告）日： | 2016-12-21 |
| 发明（设计）人： | 马双彪;顾小云;黄龙杰;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种灯丝型发光二极管芯片，属于半导体技术领域。所述灯丝型发光二极管芯片包括透明基板、以及依次层叠在透明基板的正面上的未掺杂GaN层、N型半导体层、量子阱发光层、P型半导体层、透明导电层，量子阱发光层包括至少两层第一子层、以及依次层叠在至少两层第一子层上的第二子层和第三子层，第一子层包括InGaN量子阱层和GaN量子垒层，第二子层为InGaN量子阱层，第三子层包括交替层叠的AlGaN量子垒层和GaN量子垒层，每层AlGaN量子垒层中Al的摩尔含量均保持不变，各层AlGaN量子垒层中Al的摩尔含量沿灯丝型发光二极管芯片的层叠方向逐层递增。本实用新型可以提高芯片发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 灯丝 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
一种灯丝型发光二极管芯片，所述灯丝型发光二极管芯片包括透明基板、以及依次层叠在所述透明基板的正面上的未掺杂GaN层、N型半导体层、量子阱发光层、P型半导体层、透明导电层，其特征在于，所述量子阱发光层包括至少两层第一子层、以及依次层叠在所述至少两层第一子层上的第二子层和第三子层，所述第一子层包括InGaN量子阱层和GaN量子垒层，所述第二子层为InGaN量子阱层，所述第三子层包括交替层叠的AlGaN量子垒层和GaN量子垒层，每层所述AlGaN量子垒层中Al的摩尔含量均保持不变，各层所述AlGaN量子垒层中Al的摩尔含量沿所述灯丝型发光二极管芯片的层叠方向逐层递增。
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