[实用新型]多通道瞬态电压抑制器有效
| 申请号： | 201620419137.5 | 申请日： | 2016-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN205680681U | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 周源;唐晓琦;巨长胜 | 申请（专利权）人： | 北京燕东微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H02H9/04 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 100015 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种多通道瞬态电压抑制器。所述多通道瞬态电压抑制器包括半导体衬底；位于所述半导体衬底上的外延层，其中第二掺杂类型与第一掺杂类型相反；以及位于所述外延层中的隔离区，所述隔离区将所述外延层分隔成多个有源区，所述多个有源区分别用于形成多个第一二极管、多个第二二极管和公共的穿通二极管，所述多通道瞬态电压抑制器还包括与所述半导体衬底接触，且与所述第一掺杂区和所述外延层中的至少一个接触的导电通道，用于将所述穿通二极管的集电区与所述半导体衬底短接。该多通道瞬态电压抑制器采用穿通二极管降低工作电压，从而提高大功率下的静电释放能力。 | ||
| 搜索关键词： | 通道 瞬态 电压 抑制器 | ||
【主权项】：
一种多通道瞬态电压抑制器，其特征在于，包括：第一掺杂类型的半导体衬底；位于所述半导体衬底中的第二掺杂类型的第一掺杂区；位于所述半导体衬底上的第二掺杂类型的外延层，其中第二掺杂类型与第一掺杂类型相反；位于所述外延层中的第一掺杂类型的隔离区，所述隔离区将所述外延层分隔成多个有源区，其中，所述多个有源区分别用于形成多个第一二极管、多个第二二极管和公共的穿通二极管，所述多通道瞬态电压抑制器还包括与所述半导体衬底接触，且与所述第一掺杂区和所述外延层中的至少一个接触的导电通道，用于将所述穿通二极管的集电区与所述半导体衬底短接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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