[实用新型]多通道瞬态电压抑制器有效
| 申请号： | 201620419211.3 | 申请日： | 2016-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN205595334U | 公开（公告）日： | 2016-09-21 |
| 发明（设计）人： | 周源;唐晓琦;巨长胜 | 申请（专利权）人： | 北京燕东微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 100015 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了多通道瞬态电压抑制器。所述多通道瞬态电压抑制器包括半导体衬底；位于所述半导体衬底上的外延层，其中第二掺杂类型与第一掺杂类型相反；以及位于所述外延层中的隔离区，所述隔离区将所述外延层分隔成多个有源区，所述多个有源区分别用于形成多个第一二极管、多个第二二极管和公共的穿通二极管，所述多通道瞬态电压抑制器还包括与所述隔离区相接触的互连结构，用于将所述穿通二极管的集电区与所述半导体衬底短接。该多通道瞬态电压抑制器采用穿通二极管降低工作电压，从而提高大功率下的静电释放能力。 | ||
| 搜索关键词： | 通道 瞬态 电压 抑制器 | ||
【主权项】：
一种多通道瞬态电压抑制器，其特征在于，包括：第一掺杂类型的半导体衬底；位于所述半导体衬底上的第二掺杂类型的外延层，其中第二掺杂类型与第一掺杂类型相反；位于所述外延层中的第一掺杂类型的隔离区，所述隔离区将所述外延层分隔成多个有源区，其中，所述多个有源区分别用于形成多个第一二极管、多个第二二极管和公共的穿通二极管，所述多通道瞬态电压抑制器还包括与所述隔离区相接触的互连结构，用于将所述穿通二极管的集电区与所述半导体衬底短接。
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