[实用新型]使用MR磁阻芯片的键盘键轴机构有效

专利信息
申请号: 201620422182.6 申请日: 2016-05-11
公开(公告)号: CN205811982U 公开(公告)日: 2016-12-14
发明(设计)人: 林生军 申请(专利权)人: 上海麦歌恩微电子股份有限公司
主分类号: H03K17/90 分类号: H03K17/90
代理公司: 上海新天专利代理有限公司31213 代理人: 王敏杰
地址: 201801 上海市嘉定*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型揭示了一种使用MR磁阻芯片的键盘键轴机构,所述键轴机构包括:键轴、弹性机构、键轴底座、MR开关芯片、磁体;所述弹性机构的一端连接键轴,MR开关芯片与磁体相对设置;所述磁体与MR开关芯片都位于键轴底座上,通过键轴上下移动磁体跟随上下运动,MR开关芯片感应到的磁场强度与方向变化完成开关。本实用新型提出的使用MR磁阻芯片的键盘键轴机构,MR是平行磁场感应,而且由于MR的技术特点,MR开关灵敏度很高,功耗很低,比霍尔开关更适合用在无线键盘等要求续航的场合。通过合适的结构设计,削弱磁场,可以将MR的开关点控制精度提高,键轴的触发点回差变小。
搜索关键词: 使用 mr 磁阻 芯片 键盘 机构
【主权项】:
一种使用MR磁阻芯片的键盘键轴机构,其特征在于,所述键轴机构包括:键轴、弹性机构、键轴底座、MR开关芯片、磁体;所述弹性机构的一端连接键轴,MR开关芯片与磁体相对设置;所述磁体与MR开关芯片都位于键轴底座上,通过键轴上下移动磁体跟随上下运动,MR开关芯片感应到的磁场强度与方向变化完成开关。
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