[实用新型]一种具有双反射层的发光二极管有效
| 申请号： | 201620425132.3 | 申请日： | 2016-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN205666250U | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 蓝永凌;林兓兓;张家宏 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种具有双反射层的发光二极管，至少包括一衬底，以及依次位于所述衬底上的N型GaN层、发光层、P型GaN层以及分别位于所述N型层和P型层上的N电极和P电极，其特征在于：所述衬底和N型GaN层之间具有第一AlGaN反射层，所述P型层和发光层之间具有第二AlGaN反射层，所述第一AlGaN反射层反射率大于第二AlGaN反射层。通过在发光层两侧分别设置第一AlGaN反射层和第二AlGaN反射层，并使前者反射率大于后者，形成光学共振腔，增加垂直方向上的出光效率，另外，两反射层激发发光层光致发光，进一步提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 反射层 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种具有双反射层的发光二极管，至少包括一衬底，以及依次位于所述衬底上的N型GaN层、发光层、P型GaN层以及分别位于所述N型层和P型层上的N电极和P电极，其特征在于：所述衬底和N型GaN层之间具有第一AlGaN反射层，所述P型层和发光层之间具有第二AlGaN反射层，所述第一AlGaN反射层反射率大于第二AlGaN反射层。
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