[实用新型]一种硅基包裹GaN纳米线出射随机激光的装置有效
| 申请号： | 201620427232.X | 申请日： | 2016-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN205752983U | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 朱君;徐汶菊;秦柳丽;傅得立;朱勇建;宋树祥 | 申请（专利权）人： | 广西师范大学 |
| 主分类号： | H01S5/06 | 分类号： | H01S5/06;H01S5/30 |
| 代理公司： | 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 45112 | 代理人： | 刘梅芳 |
| 地址： | 541004 广西壮*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种硅基包裹GaN纳米线出射随机激光的装置,其特征是，包括顺序叠接的底层硅基层、介电层和金属层；所述的硅基层为包裹GaN纳米线的硅基层；所述的介电层为MgF2介电层；所述的金属层材质为Au。这种装置局域化特性强、增益阈值低、亚波长量级可集成，对于生物监测、光通信领域都有广泛潜在应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 包裹 gan 纳米 线出射 随机 激光 装置 | ||
【主权项】：
一种硅基包裹GaN纳米线出射随机激光的装置,其特征是，包括顺序叠接的底层硅基层、介电层和金属层；所述的硅基层为包裹GaN纳米线的硅基层。
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