[实用新型]一种基于CMOS工艺的高速窄脉冲电流放大器有效
| 申请号： | 201620440560.3 | 申请日： | 2016-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN205643697U | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 白涛;刘小淮 | 申请（专利权）人： | 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 |
| 主分类号： | G01S7/486 | 分类号： | G01S7/486;H03F1/02;H03F3/345 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 耿英;董建林 |
| 地址： | 215163 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了基于CMOS工艺的高速窄脉冲电流放大器，包括电流输入放大级、自偏置电流源负载、第一级自偏置电压放大器、第二级自偏置放大器和整形电路；电流输入放大级由自偏置电流源负载提高电流输入放大级的输出阻抗，把APD探测器单元输出的电流转变成电压信号，经第一级自偏置电压放大器和第二级自偏置放大器进行放大，再由整形电路进行整形，使输出电压STOP达到数字脉冲；电源VCC经低通滤波电路滤波后为电流输入放大级供电。本实用新型的电流放大器可设置于大面阵激光雷达像素单元内用于前置电流放大，可提高输入放大级的输出阻抗，进而提高小信号电压增益；同时无需额外的偏置电路，降低了功耗，减小像素单元的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 cmos 工艺 高速 脉冲 电流放大器 | ||
【主权项】：
一种基于CMOS工艺的高速窄脉冲电流放大器，其特征是，包括电流输入放大级、自偏置电流源负载、第一级自偏置电压放大器、第二级自偏置放大器和整形电路；电流输入放大级由自偏置电流源负载提高电流输入放大级的输出阻抗，把APD探测器单元输出的电流转变成电压信号，经第一级自偏置电压放大器和第二级自偏置放大器进行放大，再由整形电路进行整形，使输出电压STOP达到数字脉冲；电源VCC经低通滤波电路滤波后为电流输入放大级供电。
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