[实用新型]雷射切割用保护膜有效
| 申请号： | 201620448029.0 | 申请日： | 2016-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN205621713U | 公开（公告）日： | 2016-10-05 |
| 发明（设计）人： | 叶土生;曾智鸿 | 申请（专利权）人： | 昱镭光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/68 |
| 代理公司： | 北京申翔知识产权代理有限公司 11214 | 代理人： | 黄超;周春发 |
| 地址： | 中国台湾台北市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种雷射切割用保护膜，其包括：一基片；以及一保护层，涂覆设置于该基片表面；该保护层膜厚度为0.5μm至5μm；其中该雷射切割用保护膜组成物包含：第一水溶性聚合物，该第一水溶性聚合物的重量平均分子量(Mw)为30万～40万；以及第二水溶性聚合物，该第二水溶性聚合物的重量平均分子量(Mw)为2万～16万，具有高耐热稳定性，且容易清洗干净的保护膜，防止切割制程产生硅蒸气凝结并沉积在晶片表面上，所产生的细屑造成晶圆对象的污染。 | ||
| 搜索关键词： | 雷射 切割 保护膜 | ||
【主权项】：
一种雷射切割用保护膜，其特征在于，该保护膜厚度为0.5μm至5μm，其包括：一基片；以及一保护层，涂覆设置于该基片表面；其中该保护层包含：第一水溶性聚合物以及第二水溶性聚合物，该第一水溶性聚合物的重量平均分子量为30万～40万，该第二水溶性聚合物的重量平均分子量为2万～16万。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
