[实用新型]一种适用于管式PECVD沉积工艺的镀膜陪片

摘要

本实用新型公开了一种适用于管式PECVD沉积工艺的镀膜陪片，包括硅片，所述硅片的表面设置有绒面，所述绒面的表面预先沉积有二氧化硅膜层，在管式PECVD沉积工艺中，待沉积膜沉积于所述二氧化硅膜层的表面。进一步地，所述二氧化硅膜层的厚度为5～40nm，所述硅片的厚度不小于180um，所述待沉积膜为氮化硅膜层、氧化铝膜层、二氧化钛膜层或氮氧化硅膜层。该适用于管式PECVD沉积工艺的镀膜陪片，能够对管式PECVD工艺中沉积的氮化硅膜层快速去除并且去除效果好，从而利于重复利用。

主权项

一种适用于管式PECVD沉积工艺的镀膜陪片，包括硅片(1)，其特征在于，所述硅片(1)的表面设置有绒面(2)，所述绒面(2)的表面预先沉积有二氧化硅膜层(4)，待沉积膜(3)沉积于所述二氧化硅膜层(4)的表面。