[实用新型]一种外加热片式氧传感器芯片结构有效
| 申请号： | 201620474383.0 | 申请日： | 2016-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN205786465U | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 张舟;谢光远;甘章华;罗志安 | 申请（专利权）人： | 武汉科技大学 |
| 主分类号： | G01N27/409 | 分类号： | G01N27/409 |
| 代理公司： | 武汉开元知识产权代理有限公司42104 | 代理人： | 唐正玉 |
| 地址： | 430081 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种外加热片式氧传感器芯片结构，由四层基片自上而下依次叠压而成；四层基片分别为第一基体层、第二基体层、第三基体层和第四基体层，在第一基体层上面形成外电极及保护层，下面形成内电极或参比电极，第二基体层上形成参比空气通道；其特征在于：在第三基体层的下面形成经过绝缘层覆盖的加热电极；第四基体层只覆盖第三基体层下面的加热电极的发热体部分。本实用新型的优点是消除了当前技术中加热电极印刷在第三基体层上面引起的工艺复杂性，本实用新型具体有简化片式氧传感器芯片结构，制作和生产过程也相应简化，提升片式氧传感器芯片强度，成品率更高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 外加 热片式氧 传感器 芯片 结构 | ||
【主权项】：
一种外加热片式氧传感器芯片结构，由四层基片自上而下依次叠压而成；四层基片分别为第一基体层、第二基体层、第三基体层和第四基体层，在第一基体层上面形成外电极及保护层，下面形成内电极或参比电极，第二基体层上形成参比空气通道；其特征在于：在第三基体层的下面形成经过绝缘层覆盖的加热电极；第四基体层只覆盖第三基体层下面的加热电极的发热体部分。
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