[实用新型]一种双加热片式宽域氧传感器芯片结构有效
| 申请号： | 201620476022.X | 申请日： | 2016-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN205786466U | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 张舟;谢光远;甘章华;罗志安 | 申请（专利权）人： | 武汉科技大学 |
| 主分类号： | G01N27/41 | 分类号： | G01N27/41;G01N27/409 |
| 代理公司： | 武汉开元知识产权代理有限公司42104 | 代理人： | 唐正玉 |
| 地址： | 430081 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种双加热片式宽域氧传感器芯片结构，由五层基片自上而下依次叠压而成；在第一基体层上面形成的氧泵外电极及氧泵外电极的保护层；在第三基体层的下面形成参比电极，以及形成在第三基体层和第四基体层之间形成参比通道；在第五基体层的上面和下面各印刷经过绝缘层隔离的加热电极，两个加热电极并联于同一引脚。本实用新型特点是在原结构第五基体层上下同时印刷加热电极并将二者并联，总电阻与原结构相同，其优点是加热负荷分布更均匀，热应力减少，加热性能进一步提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 加热 片式宽域氧 传感器 芯片 结构 | ||
【主权项】：
一种双加热片式宽域氧传感器芯片结构，由五层基片自上而下依次叠压而成；在第一基体层上面形成的氧泵外电极及氧泵外电极的保护层，在第一基体层下面形成氧泵内电极及内空腔和扩散障碍层，导气通道连接被测气氛和扩散障碍层；在第三基体层的下面形成参比电极，以及形成在第三基体层和第四基体层之间形成参比通道；在第五基体层的上面，形成经过绝缘层覆盖的加热电极，经过导电孔至第五基体层下面的连接引脚；特征在于：同时在第五基体层的下面再印刷经过绝缘层隔离的另一加热电极，并与第五基体层上面的加热电极并联于同一引脚。
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