[实用新型]MEMS传感器结构有效
| 申请号： | 201620479517.8 | 申请日： | 2016-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN205709848U | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 刘云峰;严斌;尹永刚;董景新 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人： | 任伟 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种MEMS传感器结构，包括一封装管壳、一连接部及一MEMS传感器，MEMS传感器包括层叠设置的一基底及一敏感结构，基底包括一第一区域、一第二区域及一第三区域，第二区域设置在第一区域与第三区域之间，第二区域在基底的宽度方向上具有一最小长度，该最小长度小于第一区域及第三区域在基底的宽度方向上的长度使基底在宽度方向上具有至少一个凹槽，且第二区域将设置有敏感结构的第三区域和与连接部连接的第一区域隔离开来，使第一区域的热应力在通过第二区域传递到所述第三区域的过程中逐渐减弱，可以有效隔离封装带来的热应力减小热应力对敏感结构的影响，提高MEMS传感器结构的温度特性。 | ||
| 搜索关键词： | mems 传感器 结构 | ||
【主权项】：
一种MEMS传感器结构，包括一封装管壳、一连接部及一MEMS传感器，所述MEMS传感器通过所述连接部固定在所述封装管壳的内部，所述MEMS传感器包括层叠设置的一基底及一敏感结构，所述基底包括一第一区域、一第二区域及一第三区域，所述第一区域与所述连接部层叠接触设置使所述第二区域及所述第三区域悬空设置，所述第二区域设置在所述第一区域与所述第三区域之间，连接所述第一区域及所述第三区域，所述第三区域与所述敏感结构层叠设置，所述敏感结构仅设置在所述第三区域，其特征在于，所述第二区域在所述基底的宽度方向上具有一最小长度，该最小长度小于所述第一区域及所述第三区域在所述基底的宽度方向上的长度，使所述基底在宽度方向上具有至少一个凹槽。
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