[实用新型]用于中子管制造的自成靶有效
| 申请号： | 201620479773.7 | 申请日： | 2016-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN205793592U | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 汪永安;陆杰;白超良;刘洋 | 申请（专利权）人： | 西安冠能中子探测技术有限公司 |
| 主分类号： | H05H3/06 | 分类号： | H05H3/06 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司61211 | 代理人： | 陈广民 |
| 地址： | 710123 陕西省*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种用于中子管制造的自成靶，该自成靶包括靶基和靶膜，靶基的一端为靶面，靶膜为镀制于靶面上的金属薄膜，靶基的另一端为中空的腔体，腔体内安装有磁钢和用于固定磁钢的磁钢托；靶面是经过机械粗化处理的平面结构或者是经过机械粗化处理的向内凹陷的锥面结构。本实用新型通过在自成靶靶底部设置磁钢，产生的磁场可以改变二次电子的运动方向，减小了二次电子电流，提高了单位有效束流，即提高了中子产额，解决了现有的中子管无法兼顾中子产额、耐温性能和使用寿命的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 中子 制造 自成 | ||
【主权项】：
一种用于中子管制造的自成靶，其特征在于：所述自成靶包括靶基和靶膜，所述靶基的一端为靶面，所述靶膜为镀制于靶面上的金属薄膜，所述靶基的另一端为中空的腔体，腔体内安装有磁钢和用于固定磁钢的磁钢托；所述靶面是经过机械粗化处理的平面结构或者是经过机械粗化处理的向内凹陷的锥面结构。
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