[实用新型]能承受高过压的具有扩展的压力信号输出的硅片压力传感器有效

专利信息
申请号: 201620480911.3 申请日: 2016-05-24
公开(公告)号: CN205785613U 公开(公告)日: 2016-12-07
发明(设计)人: 查尔斯·雷·威尔科克斯;詹尼弗·安·布洛杰特;马克·乔治·罗姆 申请(专利权)人: 罗斯蒙特公司
主分类号: G01L1/26 分类号: G01L1/26
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司11021 代理人: 孙纪泉
地址: 美国明尼*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种能承受高过压的具有扩展的压力信号输出的硅片压力传感器,包括:基部,所述基部具有高压接触部;和膜片,所述膜片定位在基部上,并且具有与基部相反的外部顶表面。所述外部顶表面被限定在封闭周边内,并且外部侧表面从封闭周边的整体向下朝基部延伸。膜片的高压接触部与基部的高压接触部对齐并且通过间隙与基部的高压接触部分开。感测元件与膜片连接并且基于膜片的改变而提供输出。当高于阈值的流体静压力载荷施加在膜片的整个外部顶表面和外部侧表面上时,流体静压力载荷导致膜片的高压接触部接触基部的高压接触部。
搜索关键词: 承受 高过 具有 扩展 压力 信号 输出 硅片 压力传感器
【主权项】:
一种压力传感器,包括:基部,所述基部具有高压接触部;膜片,所述膜片定位在基部上,并且具有:外部顶表面,所述外部顶表面与基部相反并且被限定在封闭周边内,外部侧表面,所述外部侧表面从封闭周边的整体向下朝基部延伸,和高压接触部,所述高压接触部与基部的高压接触部对齐并且通过间隙与基部的高压接触部分开;以及感测元件,所述感测元件与膜片连接并且基于膜片的改变而提供输出;其中,当高于阈值的流体静压力载荷被施加在整个外部顶表面和外部侧表面上时,流体静压力载荷导致膜片的高压接触部接触基部的高压接触部。
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