[实用新型]一种低噪声磁电阻传感器有效
| 申请号： | 201620483759.4 | 申请日： | 2016-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN206147081U | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 詹姆斯·G·迪克;周志敏;史建雷 | 申请（专利权）人： | 江苏多维科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/09 | 分类号： | G01R33/09;G01R15/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 215634 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种低噪声磁电阻传感器，包括两个磁电阻传感器切片，其中一个切片为另一个在X‑Y平面内旋转180度角度相位得到，切片包括基片衬底、底层电极层、MTJ磁电阻层、顶层电极层、通量集中器、绝缘层，底层电极层为导电材料并沉积在基片衬底上，MTJ磁电阻层由多个MTJ磁电阻单元串阵列构成，MTJ磁电阻单元位于所述的通量集中器的间隙；通量集中器位于MTJ磁电阻层的上表面或者下表面，顶层电极层覆盖所述的MTJ磁电阻单元串，绝缘层覆盖底层电极层、MTJ磁电阻阵列和顶层电极层，每个MTJ磁电阻单元的形状为末端具有锥形或圆弧形的结构。本实用新型具有高带宽、低能耗、分辨率高、低噪声等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 噪声 磁电 传感器 | ||
【主权项】：
一种低噪声磁电阻传感器，包括两个磁电阻传感器切片，其中一个磁电阻传感器切片为另一个磁电阻传感器切片在X‑Y平面内旋转180度角度相位得到，所述的磁电阻传感器切片包括基片衬底、底层电极层、MTJ磁电阻层、顶层电极层、绝缘层和多个通量集中器，所述的底层电极层为导电材料并沉积在所述的基片衬底上，所述的MTJ磁电阻层由多个MTJ磁电阻单元串阵列构成，每个MTJ磁电阻单元串由多个MTJ磁电阻单元构成，所述的顶层电极层覆盖所述的MTJ磁电阻单元串，所述的绝缘层覆盖所述的底层电极层、所述的MTJ磁电阻层和所述的顶层电极层，其特征在于，所述的通量集中器位于MTJ磁电阻层的上表面或者下表面，所述的MTJ磁电阻单元位于所述的通量集中器之间的间隙处，每个所述的MTJ磁电阻单元的形状为末端具有锥形或圆弧形的结构，所述的MTJ磁电阻单元的长度与宽度的比值在1.5—100之间，所述的MTJ磁电阻单元的宽度在0.1微米—10微米之间。
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