[实用新型]高功率高亮度光纤输出半导体激光器有效
| 申请号： | 201620487298.8 | 申请日： | 2016-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN205670615U | 公开（公告）日： | 2016-11-02 |
| 发明（设计）人： | 王仲明 | 申请（专利权）人： | 北京大族天成半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/40 | 分类号： | H01S5/40;G02B6/42 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 高功率高亮度光纤输出半导体激光器结构，其结构为M个排列有N个半导体激光器芯片的单元，被适当安装到热沉上，每个激光器的光束经各自的快轴和慢轴准直镜准直后形成M*N个准直光束，这些准直光束由两组反射镜改变光束方向，压缩其间距离，重新排列后形成一个包括M*N个准直激光束的二维紧密排列准直光束。该准直光束由聚焦镜会聚到大芯径光纤中输出。在此基础上，还可以通过偏振和波长复用进一步增加输出光功率。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 亮度 光纤 输出 半导体激光器 | ||
【主权项】：
高功率高亮度光纤输出半导体激光器，其特征为：多只半导体激光器以二维阵列的方式安装到热沉上，每一个激光器的光束通过各自对应的快轴和慢轴准直透镜准直，准直后光束由两组反射镜反射改变方向重新排列为二维紧密排列准直光束，再由聚焦镜会聚到光纤输出。
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