[实用新型]HEMT晶体管有效
| 申请号： | 201620488509.X | 申请日： | 2016-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN206059396U | 公开（公告）日： | 2017-03-29 |
| 发明（设计）人： | F·尤克拉诺;A·塞维利诺;M·尼科特拉;A·帕蒂 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华,董典红 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及HEMT晶体管。提供一种HEMT晶体管，其特征在于，包括半导体本体，包括异质结结构，所述异质结结构由包括周期表III‑V族元素的半导体材料形成；电介质层，在所述半导体本体上；栅极电极，包括栅极电介质和栅极导电区域，所述栅极电极呈现在所述异质结结构处的所述半导体本体中延伸的凹入部分，所述HEMT晶体管进一步包括由周期表III‑V族元素形成的半导体化合物的界面层，所述界面层围绕所述栅极电极的凹入部分，使得所述栅极电极通过所述界面层与所述半导体本体隔开。由此提供性能得到改善的HEMT晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | hemt 晶体管 | ||
【主权项】：
一种HEMT晶体管，其特征在于，包括：半导体本体，包括异质结结构，所述异质结结构由包括周期表III‑V族元素的半导体材料形成；电介质层，在所述半导体本体上；栅极电极，包括栅极电介质和栅极导电区域，所述栅极电极呈现在所述异质结结构处的所述半导体本体中延伸的凹入部分，所述HEMT晶体管进一步包括由周期表III‑V族元素形成的半导体化合物的界面层，所述界面层围绕所述栅极电极的凹入部分，使得所述栅极电极通过所述界面层与所述半导体本体隔开。
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