[实用新型]一种电迁移测试结构有效
| 申请号： | 201620499361.X | 申请日： | 2016-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN205789952U | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 冯军宏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种电迁移测试结构包括：第一待测金属，所述第一待测金属的两端通过下层通孔连接至第一下层金属的第一下层测试端以及第三下层金属的第三下层测试端，所述第一待测金属通过多个上层通孔连接至上层金属的测试端；第二待测金属，所述第二待测金属的两端通过下层通孔连接至第二下层金属的第二下层测试端以及第三下层金属的第三下层测试端。本实用新型用于解决现有技术中无法准确评估电迁移是否受到上层通孔的影响，从而无法保证电迁移失效分析的准确性的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 迁移 测试 结构 | ||
【主权项】：
一种电迁移测试结构，其特征在于，所述测试结构包括：第一待测金属，所述第一待测金属的两端通过下层通孔连接至第一下层金属的第一下层测试端以及第三下层金属的第三下层测试端，所述第一待测金属通过多个上层通孔连接至上层金属的测试端；第二待测金属，所述第二待测金属的两端通过下层通孔连接至第二下层金属的第二下层测试端以及第三下层金属的第三下层测试端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201620499361.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：MOSFET封装结构
- 下一篇：一种鳍式场效应晶体管器件测试结构
