[实用新型]一种鳍式场效应晶体管器件测试结构有效
| 申请号： | 201620502354.0 | 申请日： | 2016-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN205789953U | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 谢欣云 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 姚艳 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种鳍式场效应晶体管器件测试结构，所述鳍式场效应晶体管器件测试结构至少包括：衬底；位于所述衬底上的鳍形结构；位于所述衬底上并包裹所述鳍形结构的部分的伪栅叠层，其中，所述伪栅叠层与所述鳍形结构相互垂直设置；以及位于至少一条所述伪栅叠层下并贯穿该伪栅叠层下所有所述鳍形结构的鳍切断区。本实用新型的鳍式场效应晶体管器件测试结构，具有以下有益效果：通过对FinFET器件的结构进行改进，根据不同的器件布局结构在伪栅叠层下方设置所需的鳍切断区，从而获得好的器件密度和更好的器件特性，更好地检测不同器件结构相应的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 器件 测试 结构 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应晶体管器件测试结构，其特征在于，所述鳍式场效应晶体管器件测试结构至少包括：衬底；位于所述衬底上的鳍形结构；位于所述衬底上并包裹所述鳍形结构的部分的伪栅叠层，其中，所述伪栅叠层与所述鳍形结构相互垂直设置；以及位于至少一条所述伪栅叠层下并贯穿该伪栅叠层下所有所述鳍形结构的鳍切断区。
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