[实用新型]低能耗光MOS继电器有效
申请号: | 201620509041.8 | 申请日: | 2016-05-30 |
公开(公告)号: | CN205693645U | 公开(公告)日: | 2016-11-16 |
发明(设计)人: | 吴坤 | 申请(专利权)人: | 深圳市元则电器有限公司 |
主分类号: | H03K17/785 | 分类号: | H03K17/785 |
代理公司: | 东莞市神州众达专利商标事务所(普通合伙) 44251 | 代理人: | 刘汉民 |
地址: | 518100 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型提供了一种低能耗光MOS继电器,所述低能耗光MOS继电器包括发光二极管、第一MOS管、第二MOS管、光敏二极管、第一抗静电二极管、第二抗静电二极管、第三抗静电二极管、第四抗静电二极管、第一反向恢复二极管、第二反向恢复二极管、输入引脚、输出引脚和基板。所述低能耗光MOS继电器还包括内封包层和外封包层,所述发光二级管为红外LED二极管,所述第一MOS管和所述第二MOS管为超结MOS管。由于超结MOS管的使用,减低了所述低能耗光MOS继电器在导通状态下的电阻和开启电压,从而大大减少了能量的损耗。 | ||
搜索关键词: | 能耗 mos 继电器 | ||
【主权项】:
一种低能耗光MOS继电器,其特征在于,所述低能耗光MOS继电器包括:输入引脚,分别为第一引脚和第二引脚;发光二极管,所述发光二极管的正极与第一引脚连接,所述发光二极管的负极与第二引脚连接;输出引脚,分别为第三引脚、第四引脚和第五引脚;光敏二极管,设置在所述发光二极管的发光方向上;第一MOS管,所述第一MOS管的G级与所述光敏二极管的正极连接,所述第一MOS管的S级与所述光敏二极管的负极连接,所述第一MOS管的S级与所述第四引脚连接,所述第一MOS管的D级与所述第三引脚连接,第二MOS管,所述第二MOS管的G级与所述光敏二极管的正极连接,所述第二MOS管的S级与所述光敏二极管的负极连接,所述第二MOS管的S级与所述第四引脚连接,所述第二MOS管的D级与所述第五引脚连接;所述第一MOS管为超结MOS管,所述第二MOS管为超结MOS管。
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