[实用新型]一种半导体测试结构有效
| 申请号： | 201620515398.7 | 申请日： | 2016-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN205789954U | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 张燕峰;孙艳辉;张冠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 刘星 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种半导体测试结构，包括衬底、第一类型掺杂阱区及MOS管；所述第一类型掺杂阱区形成于所述衬底上部；所述MOS管包括形成于所述第一类型掺杂阱区中的第二类型掺杂源区、第二类型掺杂漏区以及第一栅极结构；其中：所述第一类型掺杂阱区中还形成有与所述第二类型掺杂漏区相连的第二类型掺杂阱区；所述第二类型掺杂阱区中形成有与所述第二类型掺杂漏区分离设置的第一类型掺杂区；所述第一类型掺杂区、第二类型掺杂阱区及所述第一类型掺杂阱区构成双极晶体管。本实用新型通过双极晶体管与CMOS的结合，实现了小电流的放大，形成简化放大电路。通过CMOS电路中的双极晶体管放大作用，可以实现窄沟道器件NBTI/HCI的准确测量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 测试 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体测试结构，所述半导体测试结构包括衬底、第一类型掺杂阱区及MOS管；所述第一类型掺杂阱区形成于所述衬底上部；所述MOS管包括形成于所述第一类型掺杂阱区中的第二类型掺杂源区、第二类型掺杂漏区以及形成于所述第一类型掺杂阱区上且两端分别与所述第二类型掺杂源区、第二类型掺杂漏区接触的第一栅极结构；其特征在于：所述第一类型掺杂阱区中还形成有与所述第二类型掺杂漏区相连的第二类型掺杂阱区；所述第二类型掺杂阱区中形成有与所述第二类型掺杂漏区分离设置的第一类型掺杂区；所述第一类型掺杂区、第二类型掺杂阱区及所述第一类型掺杂阱区构成双极晶体管。
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