[实用新型]一种深N阱隔离测试结构有效
| 申请号： | 201620517578.9 | 申请日： | 2016-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN205789955U | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 管斌;杨玲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 刘星 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种深N阱隔离测试结构，包括P型衬底及形成于其中的第一、第二深N阱，第一、第二N阱，第一、第二P阱；其中：所述第一、第二P阱的侧面靠下部分分别被所述第一、第二N阱所包围；所述第一、第二深N阱分别形成于所述第一、第二P阱下方，且边缘部分分别与所述第一、第二N阱连接；所述第一、第二P阱，第一、第二N阱分别通过相应的引出部与所述第一、第二、第三、第四测试焊盘连接。本实用新型通过引入N型重掺杂区域连接N阱，并增加用于测试两个深N阱区域之间一对N阱之间隔离效果的测试焊盘，避免了由于两块NW之间缺陷造成两个DNW区域之间的隔离失效被忽视的问题，从而能够更为全面地侦测两块深N阱之间区域的隔离效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 隔离 测试 结构 | ||
【主权项】：
一种深N阱隔离测试结构，其特征在于，所述深N阱隔离测试结构包括P型衬底及形成于所述P型衬底中的第一深N阱、第二深N阱、第一N阱、第二N阱、第一P阱、第二P阱；其中：所述第一P阱与第二P阱分离设置，所述第一N阱与第二N阱分离设置；且所述第一P阱、第二P阱的侧面靠下部分分别被所述第一N阱、第二N阱所包围；所述第一深N阱、第二深N阱分别形成于所述第一P阱、第二P阱下方，且所述第一深N阱、第二深N阱的边缘部分分别与所述第一N阱、第二N阱连接；所述第一P阱、第二P阱分别通过相应的引出部与第一测试焊盘、第二测试焊盘连接；所述第一N阱、第二N阱分别通过相应的引出部与第三测试焊盘、第四测试焊盘连接。
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