[实用新型]一种基于氧化铪缺陷调控层石墨烯铁电存储器有效
| 申请号： | 201620530138.7 | 申请日： | 2016-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN205828438U | 公开（公告）日： | 2016-12-21 |
| 发明（设计）人： | 谭秋红;王前进;刘应开;蔡武德;杨志坤 | 申请（专利权）人： | 云南师范大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 云南派特律师事务所53110 | 代理人： | 叶健 |
| 地址： | 650500 云南省昆*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本实用新型属于存储器技术领域，具体涉及一种基于氧化铪缺陷调控层石墨烯铁电存储器，包括衬底层、栅电极、缺陷调控层、铁电绝缘层、石墨烯层、源电极和漏电极，所述衬底层上设置有栅电极，栅电极上设置有缺陷调控层，缺陷调控层上设置有铁电绝缘层，铁电绝缘层上设置有石墨烯层，石墨烯层上设置有源电极和漏电极，所述缺陷调控层的材料为HfO2，所述沟道层的材料为石墨烯。本实用新型提供一种器件尺寸小、器件功耗少、器件抗疲劳和保持性能的能力强的基于氧化铪缺陷调控层石墨烯铁电存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氧化 缺陷 调控 石墨 烯铁电 存储器 | ||
【主权项】：
一种基于氧化铪缺陷调控层石墨烯铁电存储器，其特征在于，包括衬底层（1）、栅电极（2）、缺陷调控层（3）、铁电绝缘层（4）、沟道层（5）、源电极（6）和漏电极（7），所述衬底层（1）上设置有栅电极（2），栅电极（2）上设置有缺陷调控层（3），缺陷调控层（3）上设置有铁电绝缘层（4），铁电绝缘层上设置有沟道层（5），沟道层上设置有源电极（6）和漏电极（7），所述缺陷调控层（3）的材料为HfO2，所述沟道层（5）的材料为石墨烯。
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