[实用新型]具有大表面积闸极的VMOSFET芯片有效
| 申请号： | 201620536646.6 | 申请日： | 2016-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN205680677U | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 张崇健;费龙庆 | 申请（专利权）人： | 艾沛迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京汇智英财专利代理事务所(普通合伙) 11301 | 代理人： | 吴怀权 |
| 地址： | 美国加州费利蒙*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种具有大表面积闸极的VMOSFET芯片，包括：一芯片本体；其中该VMOSFET芯片的源极与门极配置在该芯片本体的上方，而该VMOSFET芯片的汲极则配置在下方；其中该闸极的面积大于3mm×3mm；此面积使得导线可以很容易地安装到该闸极上。本实用新型将该闸极的面积尽量的加大，以利于半导体封装时的施工作业，因此可以节省人工成本。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 表面积 vmosfet 芯片 | ||
【主权项】：
一种具有大表面积闸极的VMOSFET芯片，其特征在于，包括：一芯片本体；其中该VMOSFET芯片的源极与门极配置在该芯片本体的上方，而该VMOSFET芯片的汲极则配置在下方；其中该闸极的面积大于3mm×3mm。
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